Kraftmikroskopie an CaF2(111)

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Gegenstand der Arbeit ist die Untersuchung reiner und elektronenstrahlmodifizierter CaF2(111)-Oberflächen durch Rasterkraftmikroskopie im Ultrahochvakuum. Es werden methodische Probleme der Rasterkraftmikroskopie ionischer Kristalle erörtert, wobei besonders auf die Rolle elektrostatischer Kräfte eingegangen und gezeigt wird, daß sich aus der Messung dieser Kräfte die ionische Leitfähigkeit der Kristalle bestimmen läßt. Die Rasterkraftmikroskopie erlaubt die Abbildung metallischer Inseln auf der Oberfläche elektronenbestrahlter Kristalle sowie die Untersuchung von Aufwölbungen der Oberfläche, die durch Fluorgasblasen in den Kristallen hervorgerufen werden. Diese Oberflächenmodifikationen können auf eine Defektentwicklung bei Elektronenbestrahlung zurückgeführt werden, die anhand von Ergebnissen der optischen Spektroskopie und der Massenspektrometrie untersucht wird. Zur ortsaufgelösten Darstellung des chemischen Zustands der Oberfläche nach Bestrahlung mit Elektronen wird die Kelvinsondenmikroskopie im Ultrahochvakuum ausgenutzt.