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Herstellung von sub-μm-Si/SiGe-Heterostrukturfeldeffekttransistoren [sub-my-m-Si/SiGe-Heterostrukturfeldeffekttransistoren] (HFETs) und ersten Testschaltungen für Hochfrequenzanwendungen, Markus Glück
- Idioma
- Publicado en
- 1999
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